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Light coupling between vertical III-As nanowires and planar Si photonic waveguides for the monolithic integration of active optoelectronic devices on a Si platform [Zeitschriftenartikel] Quelle: Optics Express, Volume 24, Issue 16, Page 18417-18427Verlag: Washington, DC : Optical Society of America
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Critical aspects of substrate nanopatterning for the ordered growth of GaN nanocolumns [Zeitschriftenartikel] Quelle: Nanoscale Research Letters, Volume 6, Issue 1Verlag: London : BioMed Central
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Quelle: EPJ Web of Conferences, Volume 41Verlag: Les Ulis : EDP Sciences
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Verlag: Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin
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Quelle: Applied Physics Letters, Volume 110, Issue 10Verlag: New York : American Institute of Physics
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Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (112̄ 2) GaN templates [Zeitschriftenartikel] Quelle: APL Materials, Volume 3, Issue 3Verlag: New York : American Institute of Physics
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Importance of the dielectric contrast for the polarization of excitonic transitions in single GaN nanowires [Zeitschriftenartikel] Quelle: New Journal of Physics, Volume 17, Issue 3Verlag: Milton Park : Taylor & Francis
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Quelle: APL Materials, Volume 2, Issue 4Verlag: New York : American Institute of Physics
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Electronic properties of wurtzite GaAs: A correlated structural, optical, and theoretical analysis of the same polytypic GaAs nanowire [Zeitschriftenartikel] Quelle: Nano Research, Volume 11, Issue 9, Page 4708-4721Verlag: Heidelberg : Springer
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Control of the emission wavelength of gallium nitride-based nanowire light-emitting diodes [Hochschulschrift] Verlag: Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin
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